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RN1423TE85LF

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モデル
RN1423TE85LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
フリーステータス/ RoHS状態
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
RN1423TE85LF.pdf
合計:$0.034
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基準価格
(米ドル)
3000 pcs
$0.034

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製品パラメーター

モデル
-
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
データシート
RN1423TE85LF.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
50V
IB、IC @ Vce飽和(最大)
250mV @ 1mA, 50mA
トランジスタ型式
NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ
S-Mini
シリーズ
-
抵抗器ベース(R2)
4.7 kOhms
抵抗器 - ベース(R1)
4.7 kOhms
電力 - 最大
200mW
パッケージング
Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前
RN1423(TE85L,F)
装着タイプ
Surface Mount
水分感受性レベル(MSL)
1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム
11 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション
300MHz
詳細な説明
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
70 @ 100mA, 1V
電流 - コレクタ遮断(最大)
500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max)
800mA
ベース部品番号
RN142*

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